城市镜像.新闻汇总 2021-12-28

消息来源:上海证券报 上证报中国证券网讯记者 邱德坤12月28日,智慧芽创新研究中心发布第三代半导体—氮化镓GaN技术洞察报告下称报告显示,全球氮化镓产业申请专利超16万件,包括有效专利超6万件 其中,保护类型以发明专利为主,行业技术创新度比较高,中国、美国、日本是重点布局氮化镓技术的国家 氮化镓是指一种由人工合成的半导体材料,属于第三代半导体材料的典型代表,产业范围涵盖氮化镓单晶衬底,半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景,下游应用切中了新基建中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域 从氮化镓的重点技术发展趋势来看,氮化镓衬底技术是器件降本的突破口,当前正向大尺寸和高晶体质量方向发展,并趋向商业化 。