公告赛微电子拟10亿元投建68英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目

消息来源:上海证券报 上证报中国证券网讯记者 骆民赛微电子公告，公司与青州市人民政府于2021年4月1日签署合作协议，公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力，将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障 。