新金属芯片能提高存储速度百倍

消息来源:新华网 更快、更密集的数据存储革命即将来临了吗 据英国自然·物理学杂志近日发表的一项研究，一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维2D金属芯片，其厚度仅三个原子 在更节能的同时，储存速度提高了100倍之多，为开发下一代数据存储材料奠定了基础 当今世界所产生的数据比以往任何时候都多，然而我们当前的存储系统已接近大小和密度的极限，因此迫切需要相关技术革命 科学家正在研究数据的其他保存形式，包括存储在激光蚀刻的载玻片、冰冷分子、单个氢原子、全息胶片甚至DNA上 在这次的新研究中，美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A＆M大学的研究人员尝试了另一种方法，他们研发的新系统由二碲化钨金属组成，排列成一堆超薄层，每层仅有3个原子厚 目前，团队已为该设计申请了专利 他们还在研究下一步改进的方法，例如寻找除二碲化钨之外的其他2D材料 。